利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关(PCSS′s)的动态非线性特性,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真......

针对4H-SiC射频MESFET中的陷阱效应,采用解析的方法建立陷阱模型,分析了陷阱效应对器件带来的影响,阐述了陷阱的陷落-发射机理,提......

利用二维器件模拟程序MEDICI对GaAs光导开关(PCSS′s)的动态非线性特性,特别是高场下呈现出的锁定及延迟效应的工作机制进行了仿真......

针对4H-SiC射频大功率MESFET,建立了一个解析的陷阱效应模型,该模型采用简化参数描述方法,并结合自热效应分析,从理论上完善了SiC ......

针对4H-SiC射频MESFET中的自热效应,建立了基于解析模型的材料参数温度模型和器件直流模型.研究了由陷阱造成的背栅效应,并结合材......

研究了LEC-SI-GaAs单晶热处理前后深能级陷阱的变化,比较了原生晶体在不同条件的热退火后SI-GaAs单晶中深能级陷阱的特性,分析了产......

针对4H．SiC射频MESFET中的陷阱效应，建立了基于解析模型的器件小信号参数模型，引入能够反映陷阱影响的参数Rds^n、gm^n、Gss等，从而能......

InP/InGaAs异质结双极型晶体管（HBTs）广泛应用在高频、射频和微波领域中。和InP HBT器件相比,基于Si-CMOS集成后的InP HBTs器件具有......